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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL32C113JBHNNNF
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL32C113JBHNNNF由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL32C113JBHNNNF价格参考。SAMSUNGCL32C113JBHNNNF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL32C113JBHNNNF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL32C113JBHNNNF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL32C113JBHNNNF是一款X7R材质、10nF（113表示10×10³ pF）、50V额定电压、1206封装（3.2×1.6mm）的多层陶瓷电容器（MLCC）。其典型应用场景包括： - 电源去耦与旁路：广泛用于IC（如MCU、FPGA、DC-DC转换器）的电源引脚附近，滤除高频噪声，稳定供电； - 信号耦合与隔直：在模拟/射频前端电路中实现交流信号传输并阻断直流分量； - EMI抑制：配合磁珠或共模电感，构成π型滤波网络，抑制开关电源或高速数字电路产生的电磁干扰； - 时序与反馈回路：用于振荡电路、RC延时、ADC/DAC参考电压滤波等对容值稳定性要求适中的场合（X7R温漂±15% @ −55℃~+125℃）； - 工业与消费电子终端：常见于智能手机主板、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（符合AEC-Q200基础可靠性要求，但该型号非车规级，需确认具体批次认证）及通用工控模块。 注：该型号不含铅（RoHS合规），具备良好耐焊性与可靠性，适用于回流焊工艺；不适用于高精度定时、谐振或强温度敏感场景（如基准振荡器），亦不可替代C0G/NP0类超稳电容。实际选型需结合工作温度、纹波电流、老化特性及PCB布局综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.011UF 50V 5% NP0 1210 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL32C113JBHNNNF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.071"（1.80mm） |
| 大小/尺寸 | 0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 1210（3225 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 8,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 0.011µF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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