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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL31C0R5CBCNNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL31C0R5CBCNNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL31C0R5CBCNNND价格参考。SAMSUNGCL31C0R5CBCNNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL31C0R5CBCNNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL31C0R5CBCNNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL31C0R5CBCNNND是一款超小容量、高精度的多层陶瓷电容器（MLCC），其标称容量仅为0.5 pF（±0.1 pF），额定电压为50 V，封装尺寸为1206（3.2 mm × 1.6 mm），采用C0G/NP0类温度稳定介质，具有极低的容值漂移（±30 ppm/℃）、优异的Q值及近乎零的电压/频率依赖性。 该器件主要应用于对电容精度、稳定性与高频性能要求严苛的射频（RF）和微波电路中，典型场景包括： - 高频滤波与匹配网络：如5G通信基站、毫米波模块、Wi-Fi 6E/7射频前端中的阻抗匹配、谐振调谐与带通/带阻滤波； - 低噪声放大器（LNA）与混频器偏置去耦：在GHz频段提供高阻抗隔离与精准相位补偿； - 压控振荡器（VCO）与锁相环（PLL）调谐回路：利用其极低损耗和高Q特性实现频率微调与相位噪声优化； - 测试测量设备：如矢量网络分析仪（VNA）校准件、高频探头补偿电路等需亚皮法级精密电容的场合。 因其容量极小且公差严格（±0.1 pF），不适用于电源去耦或大电流滤波等常规应用。综上，CL31C0R5CBCNNND是面向高端射频系统的关键无源微调元件，强调“精准、稳定、高频”。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.5PF 50V NP0 1206 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL31C0R5CBCNNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.039"（1.00mm） |
| 大小/尺寸 | 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 1206（3216 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 0.50pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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