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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL21C3R9BBANNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL21C3R9BBANNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL21C3R9BBANNND价格参考。SAMSUNGCL21C3R9BBANNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL21C3R9BBANNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL21C3R9BBANNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CL21C3R9BBANNND 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属CL21系列（尺寸为0805，即2.0×1.25mm），额定电容为3.9pF，容差±0.1pF（代码“B”），额定电压50V（“N”表示X7R介质+50V，但此处“NN”通常对应AEC-Q200车规级或通用工业级50V；实际以厂商规格书为准），无卤素、符合RoHS。 该型号具有超小容量（3.9pF）、高精度（±0.1pF）、低损耗及优异高频特性，主要应用于对电容值稳定性、温度漂移和寄生参数敏感的高频/射频电路中，例如： - 射频匹配网络（如PA输出端、天线调谐回路中的微调电容）； - 高频滤波与谐振电路（如GHz频段LC振荡器、VCO负载电容、SAW/BAW滤波器旁路）； - 高速数字接口（如USB 3.0、HDMI、MIPI）中的EMI抑制与阻抗微调； - 精密传感与测量电路（如高频电容式传感器信号调理、时钟网络相位补偿）。 因其超低容值和高精度，不适用于电源去耦或大电流滤波等场景。典型工作温度范围为–55℃～+125℃（X7R介质），具备良好热稳定性和长期可靠性，广泛用于通信模块、智能手机射频前端、车载雷达（24/77GHz）及高端物联网设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL21C3R9BBANNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.030"（0.75mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 3.9pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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