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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL21C030CBANNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL21C030CBANNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL21C030CBANNND价格参考。SAMSUNGCL21C030CBANNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL21C030CBANNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL21C030CBANNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL21C030CBANNND是一款多层陶瓷电容器（MLCC），容值为3pF，耐压50V，封装尺寸为0805（2.0×1.25mm），C0G/NP0类温度特性（±30ppm/℃，高稳定性、低损耗）。其典型应用场景包括： - 高频滤波与去耦：用于射频（RF）前端模块、Wi-Fi/蓝牙收发器、5G小基站等高频电路中，为本地电源提供低阻抗通路，抑制高频噪声。 - 谐振与匹配网络：在VCO（压控振荡器）、PA（功率放大器）输出匹配、天线调谐电路中，利用其高Q值和C0G材料的优异频率稳定性，实现精准阻抗匹配与频率微调。 - 时钟与振荡电路：作为晶振负载电容或振荡回路中的微调电容，保障系统时钟精度与时序可靠性，常见于MCU、SoC、通信模块等。 - 精密传感与模拟前端：适用于高精度ADC/DAC参考电压旁路、传感器信号调理电路（如加速度计、陀螺仪接口），因其低介电吸收、低漏电流和极小容值漂移，可保障信号完整性。 - 汽车电子（AEC-Q200兼容型号需确认）：若该批次通过AEC-Q200认证，亦可用于车载信息娱乐系统、ADAS摄像头模块的高频滤波环节（需结合具体规格书验证）。 注：实际应用需严格遵循厂商推荐的PCB布局、焊盘设计及降额规范，避免机械应力或热冲击导致开裂失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3PF 50V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL21C030CBANNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.030"（0.75mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 3.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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