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- 型号： CL03C4R3BA3GNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL03C4R3BA3GNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL03C4R3BA3GNND价格参考。SAMSUNGCL03C4R3BA3GNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL03C4R3BA3GNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL03C4R3BA3GNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL03C4R3BA3GNND是一款多层陶瓷电容器（MLCC），尺寸为0201英寸（0.6×0.3 mm），容量4.3 pF，容差±0.1 pF（B级），额定电压25 V，采用X7R介质（温度特性：-55℃～+125℃，容量变化≤±15%），无铅、符合RoHS与REACH标准。 该器件主要面向高频、高稳定性、小尺寸要求的精密电路场景。典型应用包括： 1. 射频前端电路：如智能手机、Wi-Fi 6/6E、蓝牙模块中的匹配网络、谐振回路及滤波器，用于微调天线阻抗或PA/LNA输入输出匹配； 2. 高速数字接口旁路/去耦：在5G基带芯片、处理器或SerDes接口附近，为GHz频段提供低感抗路径，抑制高频噪声； 3. 时钟与振荡电路：配合晶体或VCO使用，参与频率微调和相位稳定，常见于实时时钟（RTC）、射频收发器本振链路； 4. 传感器信号调理电路：如MEMS麦克风、加速度计等低功耗模拟前端中，用于耦合、滤波或参考电压旁路。 其超小封装（0201）和高精度容值（±0.1 pF）特别适合空间受限且对寄生参数敏感的高频设计，但需注意PCB布局对寄生电感/电容的影响，并建议采用激光锡膏印刷与回流焊工艺以确保焊接可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 4.3PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL03C4R3BA3GNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 50,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 4.3pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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