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- 型号： CIB41P151NE
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CIB41P151NE由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CIB41P151NE价格参考。SAMSUNGCIB41P151NE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CIB41P151NE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CIB41P151NE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CIB41P151NE 是一款由村田（Murata）生产的铁氧体磁珠（Ferrite Bead），属于片式（芯片型）表面贴装器件（SMD）。其型号中“CIB”代表村田高频/高阻抗系列，“41”指封装尺寸（1005英寸，即1.0×0.5mm），“P”表示高阻抗特性，“151”表示在100MHz下典型阻抗为150Ω（15×10¹ Ω），后缀“NE”通常对应无卤素、符合RoHS的环保版本。 该磁珠主要应用于高速数字电路和电源噪声抑制场景： - 电源轨滤波：常置于IC（如MCU、FPGA、DDR内存、USB接口芯片等）的VDD/VCC引脚附近，吸收100MHz–1GHz频段的开关噪声与高频谐波，防止电源扰动影响系统稳定性； - 信号线EMI抑制：用于USB、HDMI、LVDS、MIPI等高速信号线的共模噪声抑制，配合电容构成π型滤波器，满足CISPR 22/32等电磁兼容（EMC）辐射标准； - 射频前端隔离：在Wi-Fi/BT模块或射频收发器的供电路径中，阻断高频噪声反向耦合至敏感模拟电路。 其低直流电阻（典型DCR ≈ 0.12Ω）、高阻抗频带宽及优异的热稳定性，使其特别适用于空间受限、功耗敏感的便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）及工业IoT终端。需注意：不可替代电感用于储能或DC-DC续流，仅作高频耗能型滤波元件使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 滤波器 |
| DC电阻(DCR) | 50 毫欧最大 |
| 描述 | FERRITE CHIP 150 OHM 1000MA 1806 |
| 产品分类 | 铁氧体磁珠和芯片 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CIB41P151NE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CIB41 |
| 不同频率时的阻抗 | 150 欧姆 @ 100MHz |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.177" 长 x 0.063" 宽（4.50mm x 1.60mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 1806（4516 公制） |
| 标准包装 | 2,000 |
| 滤波器类型 | 差模 - 单线 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-cib-cim-series-chip-beads/4059 |
| 额定电流 | 1A |
| 高度（最大值） | 0.071"（1.80mm） |
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