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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CGH55015F-TB
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CGH55015F-TB由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGH55015F-TB价格参考。CreeCGH55015F-TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CGH55015F-TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGH55015F-TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的CGH55015F-TB是一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的射频（RF）评估与开发套件，主要用于微波和射频功率放大器的设计与测试。该开发板集成了CGH55015F增强型GaN HEMT器件，适用于频率范围在DC至6GHz之间的高性能射频应用。 典型应用场景包括：雷达系统、军用通信设备、卫星通信地面站、5G基站射频前端、无线基础设施中的宽带功率放大器设计等。由于其高效率、高功率密度和良好的热稳定性，该套件特别适合需要高线性度和高输出功率的场合。 CGH55015F-TB开发板为工程师提供了一个便捷的平台，用于快速评估器件性能、优化匹配网络、进行热管理测试以及开展系统级集成验证，从而加速产品从研发到量产的进程。同时，配套的技术文档和参考设计有助于降低开发门槛，提升设计可靠性。该套件广泛应用于航空航天、国防电子及高端民用通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH55015F |
| 产品分类 | RF 评估和开发套件，板 |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CGH55015F-TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 其它名称 | CGH55015FTB |
| 所含物品 | 部分安装的板 |
| 标准包装 | 1 |
| 类型 | 放大器 |
| 配套使用产品/相关产品 | CGH55015F（不含 GaN HEMT） |
| 频率 | 5.5GHz ~ 5.8GHz |
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