Datasheet下载- 型号： CDZT2R11B
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CDZT2R11B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDZT2R11B价格参考。ROHM SemiconductorCDZT2R11B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CDZT2R11B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDZT2R11B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDZT2R11B 是罗姆（ROHM）半导体推出的高精度、小信号齐纳二极管，标称稳压值为11 V（容差±2%），采用SOD-123FL小型表面贴装封装，具有低动态阻抗（典型值15 Ω）、低漏电流（IR ≤ 100 nA @ 8.8 V）和优异的温度稳定性（TCVz ≈ ±0.05%/°C）。 其主要应用场景包括： 1. 精密电压基准与参考源：适用于ADC/DAC参考电路、传感器信号调理电路中对11 V基准精度和温漂要求较高的场合； 2. 过压保护与箝位：在低压模拟前端或I/O接口中，配合TVS或限流电阻，实现11 V电平箝位，防止后级IC（如MCU、运放）因瞬态过压损坏； 3. 电源稳压与偏置电路：用于小电流（≤10 mA）局部稳压，如光耦反馈回路、运算放大器偏置网络、振荡器频率设定等； 4. 工业与汽车电子：凭借ROHM的AEC-Q200认证（该型号符合车规级可靠性标准），可应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的辅助稳压及监测电路； 5. 便携式设备电源管理：得益于SOD-123FL超小尺寸与低功耗特性，适用于空间受限的电池供电设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中的电压监测与校准。 需注意：该器件不适用于大电流稳压（建议工作电流1–5 mA），设计时应确保功耗不超过额定值（Pd = 200 mW），并合理布局以降低热影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 100MW VMN2 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CDZT2R11B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 供应商器件封装 | VMN2 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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