图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ181JO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ181JO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ181JO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ181JO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ181JO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ181JO3 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母介质电容器(符合MIL-PRF-11015标准),标称容量180 pF,容差±5%(J),额定电压300 VDC,采用径向引线、环氧树脂封装,具有优异的高频稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0002)、极小的温度系数(±35 ppm/°C)及卓越的长期可靠性。 其典型应用场景包括: 1. 高精度射频与微波电路:如振荡器、滤波器、匹配网络中的调谐与耦合电容,尤其适用于UHF/VHF频段(数十MHz至数GHz),保障频率稳定性和相位一致性; 2. 军用与航天电子系统:满足MIL标准,用于雷达收发模块、通信终端、导航设备等对温度稳定性、抗辐照和寿命要求严苛的场合; 3. 精密测量与仪器仪表:在LCR测试仪、频谱分析仪前端、校准源中作为基准电容或反馈元件,确保测量准确度; 4. 高可靠性电源滤波:在开关电源的高频噪声抑制环节(如栅极驱动去耦),替代普通陶瓷电容以避免老化漂移和微放电风险; 5. 医疗成像设备:如MRI射频接收链路中,利用其低介电吸收和无压电效应特性,防止信号失真与伪影。 该器件不适用于大电流脉冲或交流高压工频场景,亦不可用于PTFE电容所擅长的超高频(>10 GHz)或极端高温(>200°C)环境——因其介质为镀银云母,非PTFE。用户选型时需注意其径向引线结构及手工焊接工艺要求。