【未分类_CDV30FJ112FO3F】封装/厂家_CDV30FJ112FO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FJ112FO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ112FO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ112FO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ112FO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FJ112FO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FJ112FO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FJ112FO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）生产的云母介质电容器（属CDV系列），标称容量1100 pF（112表示11×10² pF），容差±1%，额定电压300 VDC，采用径向引线、环氧树脂包封结构，符合MIL-PRF-11015标准，具有优异的稳定性、低损耗（tanδ < 0.0005）、极小的温度系数（±35 ppm/°C）及卓越的高频性能。

其典型应用场景包括：  
- 高精度定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器，依赖其容值长期稳定性和温度无关性；  
- 射频（RF）与微波电路：用于阻抗匹配网络、天线调谐、滤波器谐振单元，在1 MHz–1 GHz频段内保持低ESR和高Q值；  
- 脉冲与高压耦合电路：在雷达发射机、激光驱动器中承担信号耦合或直流隔离，耐受快速上升沿（dv/dt > 100 V/ns）及低介电吸收特性可减少波形失真；  
- 航天与军工电子：因通过严格筛选（如50%额定电压老练、温度循环测试），适用于卫星通信前端、导弹导引头等高可靠性、宽温域（–55°C 至 +125°C）环境；  
- 精密测量仪器：如LCR表参考电容、校准源，利用其极低介质吸收和老化率（<0.01%/年）保障计量准确性。

注：该型号不含PTFE介质，CDV系列为银电极云母电容；CDE的PTFE电容器属其他系列（如C4AQ）。

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