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  • 型号: CDV30FH391GO3F
  • 制造商: Cornell Dubilier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FH391GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FH391GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FH391GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FH391GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FH391GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FH391GO3F 是一款由“-”(即厂商信息未标注/空白品牌,常见于部分国产或代工电容器型号)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器。其标称容量为391 pF(即390 pF),容差±2%(G),额定电压通常为300 V DC(FH代码常对应300 V),O3F可能表示特殊引线成型与镀层(如哑光锡、无铅兼容等)。

该器件融合云母的高稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0002–0.0005)与PTFE优异的宽温特性(-55℃~+200℃)、耐辐射及化学惰性,适用于对可靠性、温度稳定性和高频性能要求极高的场景:

- 航天与军工电子:星载通信前端滤波器、雷达脉冲整形电路、相控阵T/R模块偏置去耦,耐受极端温度循环与振动;
- 高端射频/微波系统:5G毫米波基站本振(LO)缓冲电路、测试仪器(如网络分析仪)内部校准网络,保障相位噪声与Q值稳定性;
- 精密测量设备:高精度LCR表参考电容、标准信号源谐振回路,依赖其极低介质吸收(<0.05%)和年漂移率(<10 ppm/年);
- 医疗影像高频电路:MRI射频功率放大器输出匹配网络,利用PTFE抗生物腐蚀与低介电常数温度系数(TCC ≈ ±5 ppm/℃)。

注:因品牌标识为“-”,实际选型需重点核实制造商规格书中的耐压、ESR、自谐振频率(SRF > 1 GHz典型值)及可靠性认证(如MIL-PRF-11015或AEC-Q200衍生标准),避免用于安全关键系统而无完整资质背书。
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