【未分类_CDV30FH252GO3F】封装/厂家_CDV30FH252GO3F中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CDV30FH252GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FH252GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FH252GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FH252GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FH252GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FH252GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FH252GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）推出的云母介质电容器（属CDV系列），标称容量2500 pF（252表示25×10² pF），容差±2%（G），额定电压300 VDC，采用径向引线、环氧树脂包封结构，符合MIL-PRF-11015标准，具有优异的温度稳定性（-55°C 至 +125°C）、低损耗（tanδ < 0.0005）、极低的介质吸收和出色的长期可靠性。

其典型应用场景包括：  
• 高精度定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器，得益于云母极低的温度系数（≈±35 ppm/°C）和老化率（<0.005%/年），保障频率长期稳定；  
• 射频耦合与旁路：在VHF/UHF频段（可达数百MHz）中用于发射机末级、天线匹配网络及接收前端，利用其低ESR、高Q值（>15,000）和无感结构减少信号损耗与相位失真；  
• 脉冲与采样保持电路：适用于高速数据采集系统中的采样电容，因介质吸收极小（<0.02%），可避免拖尾效应，确保采样精度；  
• 军事/航天与工业高可靠性场合：如雷达脉冲调制器、医疗成像设备（MRI梯度控制）、测试仪器（LCR表校准参考），满足严苛环境与长寿命要求。  

注：该型号不含PTFE介质，CDV系列为银电极云母电容（非PTFE）；CDE的PTFE电容器属其他系列（如C4AQ）。

产品参数图文手册常见问题