【未分类_CDV30FH122GO3F】封装/厂家_CDV30FH122GO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FH122GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FH122GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FH122GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FH122GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FH122GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FH122GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FH122GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics Inc（CDE）推出的云母介质电容器（属CDV系列），标称容量1200 pF（122表示12×10² pF），容差±2%（G），额定电压300 VDC（FH后缀对应300 VDC），采用径向引线、环氧树脂包封结构，具有高稳定性、低损耗（tanδ ≈ 0.0002）、极佳的温度特性（-55℃～+125℃）及优异的长期可靠性。

其典型应用场景包括：  
1. 高精度定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器，得益于云母材料极低的介质吸收和温度系数（≈ ±35 ppm/℃），保障频率长期稳定；  
2. 射频（RF）耦合与旁路：适用于1–500 MHz频段的发射机末级、天线匹配网络及接收前端，低ESR和高Q值（>10,000 @ 1 MHz）可减少信号失真与插入损耗；  
3. 精密测量与校准设备：如LCR表标准电容支路、高频分压器，利用其容值高度可重复性与老化率低（<0.1% / decade）的特性；  
4. 航空航天与军工电子：满足MIL-PRF-11015标准，用于雷达脉冲整形、相控阵T/R模块偏置去耦等严苛环境，耐受高g冲击与宽温循环。  

注：该器件不含PTFE（聚四氟乙烯），CDV系列为银电极云母电容；PTFE电容属CDE另一产品线（如C4AQ系列）。其无铅、符合RoHS，不适用于交流高压或大纹波电流场景。

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