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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FH112GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FH112GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FH112GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FH112GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FH112GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FH112GO3 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母/PTFE混合介质高压电容器,标称容量为1100 pF(1.1 nF),容差±2%,额定电压高达30 kV DC(脉冲应用可达更高峰值),采用径向引线、环氧封装,具备优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ < 0.0003)、极低的电容温度系数(≈ ±50 ppm/°C)及出色的长期可靠性。 其典型应用场景包括: • 高能物理与粒子加速器系统:用于脉冲调制器、Marx发生器和磁控管/速调管偏压电路,提供快速放电响应与高压绝缘性能; • 医疗X射线发生器与CT高压电源:作为谐振电容或滤波元件,在高频高压(20–100 kHz)下保持容值稳定,抑制EMI; • 雷达发射机与微波功率放大器:在L/S波段射频匹配网络中承担耦合、旁路或调谐功能,利用PTFE/云母复合结构兼顾高频低损与耐压优势; • 激光激励电路(如TEA CO₂激光器):承受ns级上升时间、高重复频率的高压脉冲,抗电晕、无老化效应; • 航空航天与军工电子:适用于机载雷达、电子对抗(ECM)设备等严苛环境,满足MIL-PRF-11015 Class I 或类似高可靠性标准。 该器件不适用于普通电源滤波或低频耦合,其价值在于极端电压、高频、高稳定性要求场景。使用时需注意PCB布局避免电场集中,并确保引线间距符合IEC 60664爬电距离要求。