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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF751FO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF751FO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FF751FO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FF751FO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FF751FO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FF751FO3F 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母电容器(具体为银电极箔式云母电容),非PTFE类型(该型号不含PTFE介质)。其标称容量为750 pF(751表示75×10¹ = 750 pF),容差±1%,额定电压300 VDC,工作温度范围–55°C 至 +125°C,采用径向引线、环氧树脂封装,具有优异的稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0003)、极小的电容温度系数(约±35 ppm/°C)和出色的长期可靠性。 典型应用场景包括: - 高精度定时与振荡电路:如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器,依赖其低老化率与温度稳定性保障频率精度; - 射频(RF)耦合与旁路:在VHF/UHF频段(可达数百MHz)中用于发射机末级、天线匹配网络及接收前端,凭借低ESR和高Q值减少信号损耗; - 脉冲与采样保持电路:在高速数据采集系统中作为采样电容,利用其极低介电吸收(DA < 0.02%)避免电压记忆效应,提升采样精度; - 军工与航天电子:满足MIL-PRF-11015标准,适用于雷达收发模块、导航系统等需宽温、抗辐照、长寿命的严苛环境; - 精密测量仪器:如LCR表校准网络、高频分压器,依赖其可预测的参数漂移特性。 注:该型号属云母介质,非PTFE;PTFE电容器通常用于更高温(>200°C)或超高频场景,而本品以云母固有优势侧重于高稳定、低损耗中高频应用。