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  • 型号: CDV30FF562GO3
  • 制造商: Cornell Dubilier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF562GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF562GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FF562GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FF562GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FF562GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FF562GO3 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母/PTFE 复合介质高压电容器,标称容量为5600 pF(5.6 nF),容差±2%,额定电压1000 VDC(部分规格支持1500 VDC脉冲),采用径向引线、环氧树脂封装,具有优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ < 0.0005)、极小的温度系数(≈±35 ppm/°C)及出色的长期可靠性。

其典型应用场景包括:  
- 高频谐振与选频电路:如射频(RF)功率放大器输出匹配网络、固态发射机LC谐振回路,利用其Q值高、频率响应平坦特性;  
- 高压脉冲与能量存储:激光驱动器、脉冲调制器、医疗X射线发生器中的储能与整形环节,得益于PTFE/云母组合对瞬态高压和重复脉冲的耐受能力;  
- 精密定时与滤波:在高稳定性振荡器(如晶体基准缓冲电路)、抗干扰EMI滤波器(尤其需兼顾高压与低相位噪声的场合)中提供精准容值;  
- 航空航天与军工电子:用于雷达收发模块、卫星通信前端等严苛环境,满足MIL-PRF-11015或类似高可靠性标准(工作温度范围通常–55°C 至 +125°C)。

该器件不适用于大电流纹波或频繁充放电的电源级应用,主要面向高性能、高可靠性、高频高压模拟与射频系统。
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