【未分类_CDV30EH430JO3F】封装/厂家_CDV30EH430JO3F中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CDV30EH430JO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30EH430JO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30EH430JO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30EH430JO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30EH430JO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30EH430JO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30EH430JO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）推出的云母介质电容器（符合MIL-PRF-11015标准），标称容量43 pF、容差±5%（J）、额定电压300 VDC（E级）、工作温度范围–55°C 至 +125°C，采用径向引线、环氧树脂包封结构（后缀O3F表示无铅、符合RoHS）。  

该器件主要应用于高可靠性、高频、高稳定性场景：  
1. 射频与微波电路：如滤波器、谐振回路、阻抗匹配网络，凭借云母极低的介质损耗（tanδ < 0.0002）和优异的Q值，在UHF/VHF频段（数十MHz至数GHz）保持稳定性能；  
2. 军用/航天电子系统：满足MIL-STD-202测试要求，用于雷达收发模块、电子对抗设备、卫星通信前端等对温度稳定性（αC ≈ ±50 ppm/°C）、长期老化率（<0.5% over 10,000 h）和抗辐射性有严苛要求的场合；  
3. 精密定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、高精度频率合成器中的调谐元件，依赖其极小的电容漂移和电压系数（<10 ppm/V）；  
4. 医疗成像设备：在超声发射接收电路或MRI射频前端中，提供低噪声、高绝缘电阻（>10⁴ MΩ）和抗脉冲干扰能力。  

注：虽型号含“PTFE”常被误读，但CDV系列实为银电极云母电容（非PTFE介质），PTFE类通常归于CDE的CDR/CDR2系列。该器件不适用于大电流或交流高压工频应用。

产品参数图文手册常见问题