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  • 型号: CDV19FF252GO3F
  • 制造商: Cornell Dubilier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV19FF252GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV19FF252GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV19FF252GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV19FF252GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV19FF252GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV19FF252GO3F 是 Cornell Dubilier(CDE)推出的高性能云母/PTFE混合介质电容器,标称容量2.5 nF(252表示2.5×10² pF),额定电压1 kV DC,容差±2%(G),采用径向引线、环氧树脂封装,具备优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ < 0.0003)、极小的温度系数(≈±35 ppm/°C)及出色的长期可靠性。

其典型应用场景包括:  
- 射频与微波电路:用作高Q值谐振回路电容、天线匹配网络、功率放大器输出耦合/旁路,尤其适用于1–1000 MHz频段;  
- 精密定时与滤波:在高稳定性振荡器(如晶体振荡器负载电容)、带通/低通滤波器中保障相位精度和频率稳定性;  
- 高压脉冲与能量存储:适用于激光驱动、雷达发射模块、X射线发生器等需承受瞬时高压且要求低损耗、低感抗的场合;  
- 航空航天与军工电子:因通过MIL-PRF-11015认证(或等效可靠性标准),广泛用于机载通信、导航系统及抗干扰设备中,满足宽温(–55°C 至 +125°C)、高振动、长寿命要求;  
- 医疗成像设备:如MRI梯度放大器、超声波发射电路,依赖其低噪声、无老化特性确保信号保真度。

该型号不适用于大电流纹波或交流工频应用,亦非电解类替代品。其核心价值在于极端环境下的电气性能一致性与长期参数漂移极小(<0.1% / 10,000 小时),是高端模拟与射频系统中关键的“精度电容”选择。
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