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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CDBD660-G
- 制造商： COMCHIP TECHNOLOGY
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CDBD660-G由COMCHIP TECHNOLOGY设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDBD660-G价格参考。COMCHIP TECHNOLOGYCDBD660-G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CDBD660-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDBD660-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDBD660-G 是 Comchip Technology 推出的一款表面贴装（SMD）肖特基势垒整流二极管，采用 SOD-123FL 封装，具有低正向压降（典型值约 0.58V @ 1A）、快速开关特性（反向恢复时间极短，<5ns）及 60V 反向重复峰值电压（VRRM）、1A 平均整流电流（IO）等关键参数。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）次级整流：广泛用于 AC-DC 适配器、LED 驱动电源、DC-DC 模块中，提升转换效率并降低温升； 2. 便携式电子设备电源管理：如智能手机充电电路、蓝牙耳机、可穿戴设备等对能效和空间敏感的场合，得益于其小尺寸封装与低功耗特性； 3. 反极性保护电路：在电池供电系统（如IoT传感器节点、遥控器）中防止电源接反导致损坏； 4. 续流/钳位二极管：配合电感或MOSFET工作，在DC-DC变换器（如Buck、Boost拓扑）中实现能量续流与电压钳位； 5. 高频整流应用：适用于频率达数百kHz至1MHz的高频整流需求，替代普通PN结二极管以减少开关损耗。 该器件符合RoHS标准，具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产。需注意其反向漏电流相对较高（典型值~100μA @ 60V），故不适用于高阻断要求的高压/低功耗待机场景。总体而言，CDBD660-G 是中小功率、中低压、高效率整流设计的理想选型之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 6A DPAK |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Comchip Technology |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CDBD660-G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 750mV @ 6A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工作温度-结 | -50°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 6A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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