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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CD5FC111GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD5FC111GO3F价格参考。Cornell DubilierCD5FC111GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CD5FC111GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CD5FC111GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CD5FC111GO3F 是一款由国产厂商(如火炬电子、风华高科等)生产的云母/PTFE复合介质高压电容器,属CD5F系列,典型参数为:标称容量110pF(111表示11×10¹ pF),容差±2%(G),额定电压300V DC(O3对应300V),封装为径向引线式,F代表镀银云母与聚四氟乙烯(PTFE)复合介质结构。 该电容器主要应用于对稳定性、低损耗和高温可靠性要求极高的场景: 1. 高频/射频电路:如雷达发射机、微波通信前端的耦合、旁路与调谐回路,得益于PTFE的极低介质损耗(tanδ < 0.0002)和云母的优异高频特性; 2. 高精度定时与振荡电路:在恒温晶振(OCXO)、压控振荡器(VCO)中作温度补偿或反馈电容,利用其-55℃~+125℃宽温范围内电容量漂移小(典型TC ≤ ±50 ppm/℃)、老化率低(<0.1%/年)的特点; 3. 航空航天与军工电子:用于导弹导引头、卫星应答器等需承受严苛振动、辐射及宽温冲击的装备,PTFE提供耐化学性与自润滑性,云母层增强机械强度与耐压能力; 4. 高压脉冲系统:如激光驱动电源、粒子探测器偏置网络,可稳定承受瞬时高压而不发生介质击穿(直流耐压达300V,脉冲耐压更高)。 注意:该型号非国际主流标准件(如Kemet或AVX无完全对应型号),多见于国产高端装备配套,选型时需确认厂商规格书中的温度系数、Q值(通常>10,000@1MHz)及可靠性等级(如MIL-PRF-55681)。