Datasheet下载- 型号： CBR08C820F1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C820F1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C820F1GAC价格参考。KemetCBR08C820F1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C820F1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C820F1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C820F1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，专为严苛环境设计。其参数为：容量82 pF、容差±1%（F）、额定电压100 V（DC）、温度特性为C0G/NP0（Ⅰ类介质），具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、优异的温度稳定性（±30 ppm/℃）、近乎零的电压与频率依赖性，以及出色的长期可靠性。 典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的匹配网络、滤波器与耦合/旁路节点，利用其C0G特性和低寄生效应保障信号完整性； - 精密模拟电路：高速ADC/DAC参考电压旁路、运算放大器反馈网络、传感器信号调理电路，确保相位稳定与低噪声； - 汽车电子系统：车载雷达（77 GHz）、ADAS摄像头模组、引擎控制单元（ECU）中的时钟去耦与高频滤波，满足AEC-Q200对温度循环、振动及寿命的严苛要求； - 工业与医疗设备：超声成像前端、高精度数据采集系统等对稳定性与老化率（<0.1% / decade）有极高要求的场合。 该器件采用0805封装（2.0 × 1.25 mm），兼具小型化与可靠性，适用于需要长期零漂移、无容值衰减的关键节点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 82PF 100V 1% NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C820F1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 82pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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