Datasheet下载- 型号： CBR08C110F1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C110F1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C110F1GAC价格参考。KemetCBR08C110F1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C110F1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C110F1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C110F1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为11 pF，容差±1%，额定电压100 V（DC），封装尺寸为0805（2.0 × 1.25 mm），介质为C0G/NP0（温度系数极稳定，±30 ppm/°C，-55°C ~ +125°C）。 其主要应用场景包括： ✅ 高频射频电路：如5G基站前端、Wi-Fi 6/7模块、蓝牙/BLE收发器中的匹配网络、滤波与耦合，得益于C0G介质的低损耗（DF < 0.1%）和优异频率稳定性； ✅ 精密振荡与时钟电路：用于晶体振荡器（XO）、TCXO负载电容或PLL环路滤波，确保频率精度与长期稳定性； ✅ 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模组、车载信息娱乐（IVI）系统的EMI滤波、电源去耦及信号链保护； ✅ 工业传感器与医疗设备：在高可靠性要求的模拟前端（AFE）、ADC/DAC参考旁路、低噪声放大器偏置电路中提供稳定退耦。 该器件不含铅、符合RoHS与REACH，具备高抗机械应力能力（适用于回流焊及振动环境），不推荐用于高脉冲电流或大纹波场景（非X7R/X5R类）。简言之，CBR08C110F1GAC专为对容值精度、温度稳定性及可靠性要求严苛的高频、高精度模拟与射频应用而设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 11PF 100V 1% NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C110F1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 11pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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