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  • 型号: CBR06C508B1GAC
  • 制造商: Kemet
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C508B1GAC由Kemet设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C508B1GAC价格参考。KemetCBR06C508B1GAC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CBR06C508B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CBR06C508B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KEMET CBR06C508B1GAC 是一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),容值为5.0 pF,额定电压100 V,容差±0.1 pF(B级),采用C0G/NP0类温度稳定介质(Class I),工作温度范围-55℃~+125℃,封装尺寸为0603(1608公制)。其极低的介质损耗(tanδ < 0.001)、优异的频率稳定性、几乎零电压系数及极小的温度漂移(±30 ppm/℃),使其专用于对精度、稳定性和高频性能要求严苛的场景。

典型应用场景包括:  
1. 射频(RF)电路:如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、天线调谐与阻抗校准,保障信号完整性;  
2. 高精度振荡器与滤波器:用于晶体振荡器负载电容、SAW/BAW滤波器旁路及基准时钟电路,维持频率长期稳定性;  
3. 测试测量设备:示波器探头补偿、高频信号源耦合/隔直环节,避免相位失真;  
4. 航空航天与国防电子:雷达收发组件、相控阵T/R模块中的偏置去耦与高频旁路,满足高可靠性与宽温需求;  
5. 高速数字接口:PCIe、SerDes链路中的参考时钟旁路,抑制电源噪声对时序抖动的影响。

该器件不含铅(符合RoHS),具备AEC-Q200可选认证(需确认具体批次),适用于工业、通信及高可靠性领域。注意:因容值极小且精度极高,PCB布局需严格控制寄生电容(如缩短走线、避开邻近铜皮),建议采用接地焊盘设计以优化高频性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电容器

描述

CAP CER 0.5PF 100V NP0 0603

产品分类

陶瓷电容器

品牌

Kemet

数据手册

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产品图片

产品型号

CBR06C508B1GAC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CBR

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226

包装

带卷 (TR)

厚度(最大值)

0.034"(0.87mm)

大小/尺寸

0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)

安装类型

表面贴装,MLCC

容差

±0.1pF

封装/外壳

0603(1608 公制)

工作温度

-55°C ~ 125°C

应用

RF,微波,高频

引线形式

-

引线间距

-

标准包装

4,000

温度系数

C0G,NP0

特性

高 Q 值,低损耗

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028

电压-额定

100V

电容

0.50pF

等级

-

高度-安装(最大值)

-

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