| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C508B1GAC由Kemet设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C508B1GAC价格参考。KemetCBR06C508B1GAC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CBR06C508B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CBR06C508B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR06C508B1GAC 是一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),容值为5.0 pF,额定电压100 V,容差±0.1 pF(B级),采用C0G/NP0类温度稳定介质(Class I),工作温度范围-55℃~+125℃,封装尺寸为0603(1608公制)。其极低的介质损耗(tanδ < 0.001)、优异的频率稳定性、几乎零电压系数及极小的温度漂移(±30 ppm/℃),使其专用于对精度、稳定性和高频性能要求严苛的场景。 典型应用场景包括: 1. 射频(RF)电路:如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、天线调谐与阻抗校准,保障信号完整性; 2. 高精度振荡器与滤波器:用于晶体振荡器负载电容、SAW/BAW滤波器旁路及基准时钟电路,维持频率长期稳定性; 3. 测试测量设备:示波器探头补偿、高频信号源耦合/隔直环节,避免相位失真; 4. 航空航天与国防电子:雷达收发组件、相控阵T/R模块中的偏置去耦与高频旁路,满足高可靠性与宽温需求; 5. 高速数字接口:PCIe、SerDes链路中的参考时钟旁路,抑制电源噪声对时序抖动的影响。 该器件不含铅(符合RoHS),具备AEC-Q200可选认证(需确认具体批次),适用于工业、通信及高可靠性领域。注意:因容值极小且精度极高,PCB布局需严格控制寄生电容(如缩短走线、避开邻近铜皮),建议采用接地焊盘设计以优化高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.5PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C508B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 厚度(最大值) | 0.034"(0.87mm) |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) |
| 安装类型 | 表面贴装,MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0603(1608 公制) |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF,微波,高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G,NP0 |
| 特性 | 高 Q 值,低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 0.50pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装(最大值) | - |