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- 型号： CBR06C409A5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C409A5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C409A5GAC价格参考。KemetCBR06C409A5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C409A5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C409A5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR06C409A5GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为4.0 nF（409表示4.0×10⁹ pF），额定电压50 V，容差±0.05 pF（代码“A”），采用C0G/NP0类超稳定介质，温度系数近零（±30 ppm/℃），具备极低的介质损耗（tanδ < 0.001）和优异的频率/电压稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 高频模拟电路中的精密耦合与旁路，如射频前端、LNA（低噪声放大器）、混频器及VCO（压控振荡器）偏置去耦； ✅ 高速数字系统中关键电源引脚的高频噪声抑制（如FPGA、ASIC、高速SerDes供电网络的局部去耦）； ✅ 要求长期稳定性与低相位噪声的时钟电路、滤波器（如π型或LC匹配网络中的高Q值电容元件）； ✅ 汽车电子领域（因通过AEC-Q200认证），适用于ADAS传感器模块、车载雷达收发链路、CAN/LIN总线接口滤波等严苛环境； ✅ 医疗设备（如超声成像前端接收电路）、测试测量仪器（示波器探头补偿、校准电路）等对参数漂移敏感的高可靠性场景。 该器件采用0603封装（1.6×0.8 mm），适合高密度PCB布局，且无老化效应、无直流偏压容量衰减，是替代传统薄膜电容或普通X7R电容的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 4PF 50V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C409A5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 4.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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