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- 型号： CBR04C509A1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C509A1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C509A1GAC价格参考。KemetCBR04C509A1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C509A1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C509A1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR04C509A1GAC 是 KEMET 公司推出的高可靠性多层陶瓷电容器（MLCC），属于 CBR 系列（符合 AEC-Q200 认证，专为汽车级应用设计）。其标称参数为 5.0 nF（509 表示 5.0 × 10⁹ pF = 5.0 nF），容差 ±0.05 pF（代码 A），额定电压 100 V（1G = 100 V DC），封装尺寸 0402（1.0 mm × 0.5 mm），介质为 C0G/NP0（温度系数 ±30 ppm/℃，容量极稳定）。 该器件主要应用于对稳定性、低损耗和长期可靠性要求严苛的场景： ✅ 汽车电子：如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS 传感器信号调理电路、车身控制模块（BCM）中的时钟滤波、参考电压旁路及高频去耦； ✅ 工业自动化：PLC 输入/输出接口的抗干扰滤波、精密模拟前端（如 ADC/DAC 参考旁路）、高精度振荡器负载电容； ✅ 医疗电子：便携式监护设备中低噪声电源去耦与信号链滤波，确保信号完整性； ✅ 通信设备：射频前端或高速数字电路中的局部去耦、阻抗匹配与EMI抑制（得益于C0G优异的高频特性与Q值）。 因其C0G介质无压电效应、无直流偏压容量衰减、老化率近乎为零，特别适合需恒定电容值的关键节点。不适用于大容量储能或高纹波电流场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 5PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C509A1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 5.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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