Datasheet下载- 型号： CBR02C808B8GAC
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C808B8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C808B8GAC价格参考。KemetCBR02C808B8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C808B8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C808B8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C808B8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为0.8 pF，电压额定值为6.3 V，容差±0.1 pF，采用0201（0.5 mm × 0.25 mm）超小型封装，介质为C0G/NP0（温度稳定性极佳，±30 ppm/℃，Q值高，DF < 0.1%）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC中的匹配网络、天线调谐与滤波器，利用其超低容值精度和C0G的优异高频特性； - 高速数字接口旁路/去耦：在FPGA、ASIC或高速SerDes（如PCIe Gen4+）的电源引脚附近，提供GHz频段的局部去耦，抑制高频噪声； - 精密振荡与定时电路：如晶体振荡器（XO）负载电容、VCO调谐回路，依赖其0.1 pF高精度与极低老化率（<0.1%/decade hour）； - 汽车电子系统：符合AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模组、车载雷达RF前端、信息娱乐系统中的高频信号链； - 医疗与测试设备：在高频探头、射频消融设备或频谱分析仪前端电路中承担精密耦合/隔直功能。 该器件强调尺寸、精度与稳定性，不适用于大电流或高压场景，主要服务于对寄生参数（ESL/ESR）、温漂和长期可靠性要求严苛的高端高频模拟/射频设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.8PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C808B8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 0.80pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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