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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C708C9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C708C9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C708C9GAC价格参考。KemetCBR02C708C9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C708C9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C708C9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C708C9GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6×0.3 mm）、7 pF ±0.25 pF容差、额定电压16 V DC的多层陶瓷电容器（MLCC）。其超小尺寸、高精度、低寄生参数及优异的高频稳定性，使其特别适用于对空间、性能和可靠性要求严苛的高频模拟与射频电路。 典型应用场景包括： - 射频前端匹配网络：用于Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x、Zigbee等2.4 GHz/5 GHz频段的天线阻抗匹配、PA输出匹配或LNA输入匹配； - 高频去耦与旁路：为GHz级RF收发器、VCO、PLL芯片提供局部电源滤波，抑制高频噪声； - 滤波与谐振电路：在小型化巴伦、带通/低通滤波器中作为高Q值谐振电容； - 高速数字接口终端：用于USB 3.2、MIPI D-PHY等高速信号线的端接或AC耦合（需结合具体设计）； - 医疗与可穿戴设备：满足微型化、低功耗需求，如TWS耳机中的RF模块、便携式生命体征监测设备。 该器件符合AEC-Q200（部分批次），具备良好的温度稳定性（X7R：±15% @ –55°C to +125°C）和抗老化特性，适合工业级及消费电子应用。使用时需注意PCB布局对高频性能的影响，并遵循KEMET推荐的焊盘设计及回流焊曲线。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.7PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C708C9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 0.70pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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