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- 型号： CBR02C708C3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C708C3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C708C3GAC价格参考。KemetCBR02C708C3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C708C3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C708C3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C708C3GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为0.7 pF，容差±0.25 pF，额定电压16 V，采用0201封装（0.6 mm × 0.3 mm），介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃，极低损耗、高稳定性）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信前端模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC中的匹配网络、天线调谐与谐振回路，得益于C0G材质的超低ESR/ESL和优异频率响应； - 精密时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、VCXO提供高稳定负载电容，保障时序精度； - 高速数字接口旁路：在SerDes、MIPI、USB 3.x等高速链路中作局部去耦，抑制GHz频段噪声； - 汽车电子系统：适用于ADAS摄像头模块、雷达收发前端、车载信息娱乐系统中的高频滤波与信号完整性优化（满足AEC-Q200可靠性要求）； - 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪等高端仪器的校准路径或射频采样前端中，承担高精度、低相位噪声的耦合/隔直功能。 该器件凭借超小尺寸、零老化、无直流偏压容量衰减等特性，特别适合空间受限且对参数稳定性要求严苛的高频、高可靠性应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器无源元件 |
| 描述 | CAP CER 0.7PF 25V NP0 0201多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 25volts 0.7pF C0G 0201 SIZE |
| 产品分类 | 陶瓷电容器电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 产品手册 | http://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=CBR02C708C3GAC |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MLCC,多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT,Kemet CBR02C708C3GACCBR |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CBR02C708C3GAC |
| 产品 | RF Microwave MLCCs |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 产品种类 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT |
| 其它名称 | 399-6138-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 商标 | Kemet |
| 外壳代码-in | 0201 |
| 外壳代码-mm | 0603 |
| 外壳宽度 | 0.3 mm |
| 外壳长度 | 0.6 mm |
| 外壳高度 | 0.3 mm |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 封装/箱体 | 0201 (0603 metric) |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 15000 |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 温度系数/代码 | +/- 30 PPM / C |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电介质 | C0G (NP0) |
| 电压-额定 | 25V |
| 电压额定值 | 25 V |
| 电压额定值DC | 25 V |
| 电容 | 0.70pF |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 等级 | - |
| 类 | Class 1 |
| 类型 | SMD High Power Applications, Ultra High Q, Low ESR, 6.3 - 500 VDC (RF & Microwave) |
| 系列 | CBR |
| 零件号别名 | CBR02C708C3GACTU |
| 高度-安装（最大值） | - |
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