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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C569C9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C569C9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C569C9GAC价格参考。KemetCBR02C569C9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C569C9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C569C9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C569C9GAC 是 KEMET 推出的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），属于 CBR 系列，专为射频（RF）和微波应用优化设计。其参数为：5.6 pF、±0.25 pF（C 容差）、直流额定电压 10 V、工作温度范围 –55°C 至 +125°C，采用超小型 0201 封装（0.6 mm × 0.3 mm），介质为高Q、低损耗的C0G/NP0类材料，具有极佳的频率稳定性、低ESR和低插入损耗。 典型应用场景包括： - 5G通信前端模块：用于功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）及天线调谐电路中的直流阻隔（DC-blocking）、旁路与耦合； - Wi-Fi 6/6E 和蓝牙射频收发链路：作为匹配网络中的高精度、低相位噪声电容，保障信号完整性； - 高频滤波与谐振电路：如VCO（压控振荡器）、RF滤波器、巴伦（Balun）匹配网络等对容值精度和温漂要求严苛的场合； - 医疗与航空航天射频设备：因其C0G介质具备优异的长期稳定性与可靠性，适用于高可靠性要求的小型化射频子系统。 该器件不适用于大电流或高脉冲功率场景，亦不可用于电源去耦主路径（因容值小、额定电压低）。选型时需注意PCB布局对寄生参数的影响，建议配合KEMET官方推荐焊盘设计以发挥最佳高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 5.6PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C569C9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 5.6pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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