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- 型号： CBR02C229C8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C229C8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C229C8GAC价格参考。KemetCBR02C229C8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C229C8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C229C8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C229C8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为2.2 nF（229表示22×10⁹ pF），额定电压为25 V，容差±0.25 pF（C级），采用C0G/NP0类超稳定介质，具有极低的容值温漂（±30 ppm/℃）、近乎零的老化效应、优异的频率稳定性和低损耗（DF < 0.1%）。 其典型应用场景包括： - 高精度模拟电路：如传感器信号调理、ADC/DAC参考电压旁路、精密振荡器（如晶振负载电容或时钟滤波），得益于C0G介质的稳定性； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，适用于车载信息娱乐（IVI）、ADAS中的雷达/摄像头电源去耦、车身控制模块（BCM）的噪声抑制； - 高频滤波与耦合：在射频前端、无线通信模块（如蓝牙/Wi-Fi收发链路）中用作耦合电容或RF旁路，因低ESL/ESR和良好高频特性； - 工业自动化：PLC输入/输出接口的瞬态抑制与EMI滤波，以及高可靠性电源轨去耦（尤其在FPGA、微控制器供电路径中）。 该器件采用0201封装（0.6 mm × 0.3 mm），适合高密度PCB布局，但需注意焊接工艺控制。不适用于大纹波电流或高直流偏压场景（C0G容量不随电压显著下降，但额定电压仅25 V）。综上，CBR02C229C8GAC 主要面向对稳定性、可靠性及高频性能要求严苛的中高端电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2.2PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C229C8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 2.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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