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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C209A8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C209A8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C209A8GAC价格参考。KemetCBR02C209A8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C209A8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C209A8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C209A8GAC 是 KEMET 推出的高可靠性多层陶瓷电容器（MLCC），属于 CBR 系列（符合 AEC-Q200 标准，适用于汽车级应用）。其标称容量为 2.0 nF（209 表示 2.0 × 10⁹ pF），额定电压 25 V（“8G”对应 25 V DC），容差 ±0.05 pF（“A”表示超精密容差），采用 C0G/NP0 温度特性介质（-55℃～+125℃范围内电容变化≤±30 ppm/℃），封装尺寸为 0201（0.6 mm × 0.3 mm）。 该器件主要应用于对稳定性、低损耗和长期可靠性要求极高的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： ✅ 高精度振荡器与时钟滤波电路（如 MCU、FPGA 的参考时钟旁路）； ✅ 射频前端匹配网络与接收链路中的耦合/去耦电容（如 GPS、Wi-Fi 6/6E、BLE 模块）； ✅ 汽车电子系统中的 ADAS 传感器信号调理电路、车载信息娱乐系统音频路径滤波； ✅ 医疗设备（如便携式监护仪）中低噪声模拟前端的高频去耦与抗干扰设计。 凭借 C0G 材质的零电压系数、超低介电吸收（DA）及优异的频率响应特性，该电容可确保信号完整性与相位稳定性，尤其适合 GHz 频段下的精密定时与高速数据接口（如 USB、LVDS）电源去耦。注意：需遵循 KEMET 推荐的焊盘设计与回流焊曲线，避免机械应力导致微裂纹。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C209A8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 2.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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