图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C209A3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C209A3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C209A3GAC价格参考。KemetCBR02C209A3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C209A3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C209A3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C209A3GAC 是一款由村田（Murata）生产的陶瓷电容器（品牌为“Murata”，非“-”；题干中“品牌为-”可能存在录入错误，实际应为 Murata），属于 CBR 系列，X7R 介质，容量为 2.0 nF（209 表示 2.0 × 10⁹ pF = 2.0 nF），额定电压 25 V（3G 对应 25 V DC），容差 ±0.05 pF（A 表示 ±0.05 pF，但此处需注意：标准编码中“A”通常对应 ±0.05 pF仅适用于小于1pF的超小容量；而2.0nF更可能对应J=±5%或C=±0.25pF，实际以村田官方规格书为准；型号中“A”在此处更可能代表尺寸/端接类型，建议核查数据手册）。该器件采用 0201 英寸（0603 mm）超小型封装，具备低 ESR、高可靠性及优异的温度稳定性（X7R：-55℃～+125℃，ΔC/C ≤ ±15%）。 典型应用场景包括：高频去耦与旁路（如为射频收发模块、Wi-Fi/BT 芯片、MCU 电源引脚提供局部储能和噪声滤除）；信号耦合与隔直（在传感器接口、音频前端等低能量模拟通路中传递交流信号）；EMI 滤波（配合磁珠构成 π 型滤波器，抑制高频干扰）；以及便携式电子设备（智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备）中的空间受限电路。因其微型尺寸与高一致性，特别适用于高密度 PCB 设计与自动化贴装产线。使用时需注意焊盘设计、回流焊温度曲线及避免机械应力导致的微裂纹失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C209A3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 2.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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