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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C4D20120A由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D20120A价格参考。CreeC4D20120A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载C4D20120A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C4D20120A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 的 C4D20120A 是一款基于碳化硅(SiC)材料的肖特基二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类。它具有高效率、低开关损耗和出色的热性能,适用于多种高频和高功率应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源转换系统 该二极管适合用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,能够提供高效的整流功能,特别适用于服务器、通信设备和工业电源等需要高效率和高可靠性的场景。 2. 太阳能逆变器 在光伏系统中,C4D20120A 可用作升压或降压电路中的整流二极管,其快速恢复特性和低正向压降有助于提高系统的能量转换效率。 3. 电机驱动 该二极管适用于电动车辆(EV)、混合动力汽车(HEV)以及工业电机驱动中的逆变器和控制器,能够承受高频开关和高电流负载,同时降低能耗。 4. 不间断电源(UPS) 在 UPS 系统中,C4D20120A 可用于整流和逆变部分,确保电力供应的稳定性和高效性,尤其在需要快速响应和低损耗的场合表现优异。 5. 充电基础设施 该二极管广泛应用于电动汽车充电桩中,支持高功率密度和快速充电需求,同时减少热量积累和能量损失。 6. 高频开关电源(SMPS) 在高频开关电源中,C4D20120A 的快速开关能力和低反向恢复电荷特性使其成为理想选择,能够显著提升电源的整体性能。 总结来说,C4D20120A 凭借其碳化硅材料的优势,在需要高效率、高频率和高温稳定性的应用中表现出色,是现代电力电子设备的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Cree, Inc. |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D20120AZ-Rec™ |
数据手册 | |
产品型号 | C4D20120A |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 20A |
不同 Vr、F时的电容 | 1500pF @ 0V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 1200V |
二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-220-2 |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-2 |
封装/箱体 | TO-220-2 |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 50 |
恢复时间 | - |
技术 | SiC |
最大二极管电容 | 1500 pF |
最大功率耗散 | 242 W |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 130 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 1.8 V |
正向连续电流 | 20 A |
热阻 | 0.62°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1200V(1.2kV) |
电流-平均整流(Io) | 20A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
配置 | Single |