Datasheet下载- 型号： BZX84C51-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C51-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C51-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C51-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C51-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C51-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C51-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 - BZX84C51-7-F 的齐纳电压为 51V（±5% 精度），适用于需要稳定电压的电路。例如，在电源电路中，它可以用于提供稳定的参考电压，确保后级电路正常工作。 - 应用场景：稳压电源、基准电压源。 2. 过压保护 - 当电路可能受到瞬时高压冲击时，该齐纳二极管可以将电压钳位在 51V，从而保护敏感器件免受损坏。 - 应用场景：传感器接口保护、通信线路保护。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中，BZX84C51-7-F 可用于将输入信号的幅值限制在特定范围内，避免信号过载。 - 应用场景：音频信号限幅、射频信号保护。 4. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的反向击穿特性与温度有一定关系，BZX84C51-7-F 可用于设计温度补偿电路，以提高系统的稳定性。 - 应用场景：精密仪器中的温度补偿模块。 5. 电源监控与复位电路 - 在一些嵌入式系统中，BZX84C51-7-F 可用于检测电源电压是否低于或高于设定值，并触发复位或报警功能。 - 应用场景：微控制器电源监控、电池管理系统。 6. 浪涌抑制 - 该齐纳二极管能够吸收短时间内的高能量浪涌，防止电路因瞬态电压而受损。 - 应用场景：家电设备输入端保护、工业控制设备防护。 特性总结 - 额定功率：0.5W，适合中小功率应用。 - 封装形式：DO-214AC（SMA），体积小，便于表面贴装。 - 工作温度范围：-55°C 至 +150°C，适应恶劣环境。 总之，BZX84C51-7-F 是一款性能可靠的齐纳二极管，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要电压稳压、保护和信号调节的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 51V 300MW SOT23-3稳压二极管 350MW 51V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C51-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C51-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 35.7V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BZX84C51-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 180 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 11 mV/C |
| 系列 | BZX84C51 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 180 欧姆 |
| 齐纳电压 | 51 V |
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