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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BZX84C3V0-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V0-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V0-7-F价格参考￥0.12-￥0.14。Diodes Inc.BZX84C3V0-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C3V0-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C3V0-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C3V0-7-F是Diodes Incorporated生产的一款表面贴装齐纳二极管，标称齐纳电压为3.0V（典型值），功率为500mW，采用SOD-323封装。该器件主要用于低电压稳压和电路保护场合。 典型应用场景包括： 1. 电压参考：在模拟电路或ADC/DAC系统中提供稳定的3.0V参考电压，适用于低功耗便携式设备。 2. ESD保护：用于接口电路（如USB、I²C、GPIO）的静电放电防护，吸收瞬态过压脉冲，保护敏感IC。 3. 电源钳位：在低压供电系统中防止电压过冲，确保后级电路工作在安全电压范围内。 4. 信号电平箝位：在数字或模拟信号线中限制电压幅度，避免信号超出接收端承受范围。 5. 电池供电设备：广泛应用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等对空间和功耗要求严格的电子产品中。 其小尺寸封装适合高密度PCB布局，响应速度快，稳定性好，是消费电子、通信设备和工业控制中常用的保护与稳压元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3稳压二极管 3V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C3V0-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C3V0-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BZX84C3V0-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±7% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/C |
| 系列 | BZX84C3V0 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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