Datasheet下载- 型号： BZX84C33-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C33-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C33-7-F价格参考￥0.12-￥0.12。Diodes Inc.BZX84C33-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C33-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C33-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C33-7-F是Diodes Incorporated生产的一款齐纳二极管，属于BZX84系列，标称齐纳电压为3.3V（典型值），功率为500mW。该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，具有体积小、响应快、稳定性高等特点。 该型号主要应用于低电压稳压和电路保护场景。常见用途包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理模块，用于提供稳定的参考电压或实现过压保护；在传感器电路、微控制器单元（MCU）的I/O端口保护中，防止静电放电（ESD）或瞬态电压冲击造成损坏；也可用于信号线路的钳位保护，确保敏感元件工作在安全电压范围内。 此外，BZX84C33-7-F因其良好的温度稳定性和低动态阻抗，广泛用于模拟电路中的电压基准源，以及电池供电设备中的低功耗稳压需求。其小型化封装适合高密度PCB布局，适用于消费电子、工业控制、通信模块和汽车电子等对空间和可靠性要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3稳压二极管 33V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C33-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C33-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 23.1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BZX84C33-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q112680/BZX2-KIT-ND/184354 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 30.4 mV/C |
| 系列 | BZX84C33 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 33 V |
| 齐纳电流 | 2 mA |
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