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  • 型号: BZV85-C43,133
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C43,133由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C43,133价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C43,133封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV85-C43,133参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV85-C43,133 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV85-C43,133 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管(稳压二极管),标称稳压值为 43 V(容差 ±5%,即约 40.9–45.1 V),最大功率耗散为 1.3 W,采用 DO-41 玻璃封装。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗线性稳压电路或分立式稳压器中,为运算放大器、ADC 参考源或微控制器供电电路提供稳定基准电压。

2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成“撬棍电路”(Crowbar Circuit),当输入电压异常升高至 ≥43 V 时触发保护,快速短路电源以保护后级敏感器件(如电源管理IC、传感器等)。

3. 浪涌/瞬态抑制辅助:虽非TVS管,但可与TVS或压敏电阻协同工作,在中低速、中小能量的瞬态过压事件中提供二级钳位,提升系统鲁棒性。

4. 信号电平箝位与限幅:在模拟前端(如传感器接口、音频电路)中,将交流信号峰值限制在±43 V范围内,防止运放饱和或输入级损坏。

5. 工业与汽车电子中的简单稳压需求:适用于对成本敏感、温度范围要求不苛刻(-65°C 至 +200°C)的工业控制板、车载仪表、LED驱动反馈环路等场景。

注意:该器件为玻璃钝化结构,具备良好稳定性与长期可靠性,但不适用于高频或大电流动态负载;设计时需确保功耗不超过1.3 W,并留足散热裕量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 43V 1.3W DO41稳压二极管 Diode Zener Single 43V 5% 1.3W 2-Pin

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C43,133-

数据手册

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产品型号

BZV85-C43,133

PCN其它

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不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 50mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 30V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

DO-41

其它名称

933500800133

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1.3 W

包装

带盒(TB)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

容差

±5%

封装

Ammo Pack

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

封装/箱体

DO-41

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

5000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

75 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

5,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

43V

电压容差

5 %

电压温度系数

41.15 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

75 欧姆

齐纳电压

43 V

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