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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C43,133由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C43,133价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C43,133封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV85-C43,133参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV85-C43,133 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV85-C43,133 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管(稳压二极管),标称稳压值为 43 V(容差 ±5%,即约 40.9–45.1 V),最大功率耗散为 1.3 W,采用 DO-41 玻璃封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗线性稳压电路或分立式稳压器中,为运算放大器、ADC 参考源或微控制器供电电路提供稳定基准电压。 2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成“撬棍电路”(Crowbar Circuit),当输入电压异常升高至 ≥43 V 时触发保护,快速短路电源以保护后级敏感器件(如电源管理IC、传感器等)。 3. 浪涌/瞬态抑制辅助:虽非TVS管,但可与TVS或压敏电阻协同工作,在中低速、中小能量的瞬态过压事件中提供二级钳位,提升系统鲁棒性。 4. 信号电平箝位与限幅:在模拟前端(如传感器接口、音频电路)中,将交流信号峰值限制在±43 V范围内,防止运放饱和或输入级损坏。 5. 工业与汽车电子中的简单稳压需求:适用于对成本敏感、温度范围要求不苛刻(-65°C 至 +200°C)的工业控制板、车载仪表、LED驱动反馈环路等场景。 注意:该器件为玻璃钝化结构,具备良好稳定性与长期可靠性,但不适用于高频或大电流动态负载;设计时需确保功耗不超过1.3 W,并留足散热裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 43V 1.3W DO41稳压二极管 Diode Zener Single 43V 5% 1.3W 2-Pin |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C43,133- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV85-C43,133 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 30V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 933500800133 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 75 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 43V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 41.15 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 75 欧姆 |
| 齐纳电压 | 43 V |