Datasheet下载- 型号： BZV85-C3V6,113
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C3V6,113由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C3V6,113价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C3V6,113封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZV85-C3V6,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV85-C3V6,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV85-C3V6,113 是 NXP USA Inc. 推出的一款 3.6 V 齐纳二极管（单管、DO-35 玻璃封装），主要应用于低压精密稳压与电压基准、过压保护及信号电平钳位等场景。其典型稳定电压为 3.6 V（容差 ±5%，即 3.42–3.78 V），测试电流 IZT = 5 mA，动态电阻低（约 90 Ω），温度系数小（约 +2 mV/°C），具备良好稳定性与重复性。常见应用包括： - 电源稳压：为低功耗电路（如传感器接口、MCU 复位电路、RTC 供电）提供简单可靠的 3.6 V 基准或分立式稳压； - 电压钳位/ESD 保护前端：与TVS或限流电阻配合，限制模拟输入引脚（如ADC参考端、I²C总线）的瞬态过压，防止器件损坏； - 基准源：在成本敏感型便携设备（如烟雾报警器、智能电表、无线传感节点）中替代高精度基准芯片，用于A/D转换校准或比较器阈值设定； - 反向偏置保护：在电池供电系统中防止反接导致后级IC损坏（需配合串联电阻使用）。 该器件工作结温范围为 –65°C 至 +200°C，适合工业及汽车电子外围电路（非AEC-Q200认证，故不推荐用于核心安全系统）。因其DO-35封装体积小、成本低、响应快，广泛用于对精度要求适中、空间受限且需高可靠性的嵌入式基础电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZV85-C3V6,113 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 933659350113 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 欧姆 |
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