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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B3V0,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B3V0,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B3V0,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV55-B3V0,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B3V0,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV55-B3V0,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单分类。该型号的主要应用场景包括: 1. 电压稳压: BZV55-B3V0,115 的典型应用是为电路提供稳定的参考电压。其齐纳击穿电压约为 3.0V,适用于低电压稳压电路,确保后级电路在电压波动时仍能正常工作。 2. 过压保护: 在电源输入或信号线中,该齐纳二极管可用于限制过高电压,保护敏感的电子元件免受损坏。例如,在 USB 接口或传感器信号输入端加入 BZV55-B3V0,115,可以有效防止瞬态高压冲击。 3. 信号电平转换: 在模拟电路或数字电路中,BZV55-B3V0,115 可用于将输入信号限制在特定电压范围内,实现信号电平的调整或钳位功能。 4. 基准电压源: 由于其稳定的击穿电压特性,BZV55-B3V0,115 可作为简单的基准电压源,用于比较器、放大器或其他需要精确电压参考的电路中。 5. 电源监控电路: 在电池供电设备中,该齐纳二极管可用于监测电池电压,当电压降至设定值以下时触发报警或关机功能。 6. ESD(静电放电)保护: 虽然 BZV55-B3V0,115 主要不是为 ESD 保护设计,但在某些情况下,它可以辅助吸收静电脉冲,减少对核心器件的影响。 总结来说,BZV55-B3V0,115 适合应用于低功率、低电压的稳压、保护和信号处理场景,尤其在消费电子、工业控制和通信设备中具有广泛用途。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B3V0,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-B3V0,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 568-8036-6 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | - 2.1 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-B3V0 T/R |
齐纳电压 | 3 V |