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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV49-C12,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV49-C12,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV49-C12,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV49-C12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV49-C12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV49-C12,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压: BZV49-C12,115 的核心功能是提供稳定的参考电压。它适用于各种需要稳定电压的电路,例如电源电路中的电压调节、信号调理电路中的基准电压源等。 2. 过压保护: 该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压损害。例如,在输入端或输出端可能出现瞬态高压的情况下,BZV49-C12,115 能够将电压钳位到其额定齐纳电压(12V),从而保护后级电路。 3. 信号电平转换: 在模拟和数字电路中,BZV49-C12,115 可以用于信号电平的调整。通过限制信号的最大电压值,确保信号在目标设备的可接受范围内。 4. 浪涌抑制: 在电力电子设备中,可能会出现由开关或其他原因引起的电压浪涌。BZV49-C12,115 可以快速响应并抑制这些浪涌,保护系统免受损坏。 5. 音频和射频电路: 在音频放大器或射频电路中,齐纳二极管可以用作偏置电压的生成元件,或者用于限制信号幅度以避免失真。 6. 温度补偿电路: 利用齐纳二极管的特性,结合其他元件设计温度补偿电路,以减少环境温度变化对系统性能的影响。 特性总结: - 齐纳电压:12V(±5%精度)。 - 最大功率耗散:1.15W。 - 封装形式:通常为小型表面贴装或通孔封装,适合高密度设计。 - 工作温度范围:广泛支持工业级或商业级应用。 BZV49-C12,115 因其高可靠性、精确的齐纳电压和良好的热稳定性,被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 1W SOT89稳压二极管 830MW 12V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV49-C12,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV49-C12,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | Diodes - Zener |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-3789-2 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 8.4 mV/K |
| 配置 | Single Dual Anode |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV49-C12 T/R |
| 齐纳电压 | 12.05 V |