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  • 型号: BZV49-C12,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV49-C12,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV49-C12,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV49-C12,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV49-C12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV49-C12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV49-C12,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。其主要应用场景包括以下几个方面:

1. 电压稳压:  
   BZV49-C12,115 的核心功能是提供稳定的参考电压。它适用于各种需要稳定电压的电路,例如电源电路中的电压调节、信号调理电路中的基准电压源等。

2. 过压保护:  
   该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压损害。例如,在输入端或输出端可能出现瞬态高压的情况下,BZV49-C12,115 能够将电压钳位到其额定齐纳电压(12V),从而保护后级电路。

3. 信号电平转换:  
   在模拟和数字电路中,BZV49-C12,115 可以用于信号电平的调整。通过限制信号的最大电压值,确保信号在目标设备的可接受范围内。

4. 浪涌抑制:  
   在电力电子设备中,可能会出现由开关或其他原因引起的电压浪涌。BZV49-C12,115 可以快速响应并抑制这些浪涌,保护系统免受损坏。

5. 音频和射频电路:  
   在音频放大器或射频电路中,齐纳二极管可以用作偏置电压的生成元件,或者用于限制信号幅度以避免失真。

6. 温度补偿电路:  
   利用齐纳二极管的特性,结合其他元件设计温度补偿电路,以减少环境温度变化对系统性能的影响。

 特性总结:
- 齐纳电压:12V(±5%精度)。
- 最大功率耗散:1.15W。
- 封装形式:通常为小型表面贴装或通孔封装,适合高密度设计。
- 工作温度范围:广泛支持工业级或商业级应用。

BZV49-C12,115 因其高可靠性、精确的齐纳电压和良好的热稳定性,被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 12V 1W SOT89稳压二极管 830MW 12V

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV49-C12,115-

数据手册

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产品型号

BZV49-C12,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 50mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 8V

产品目录绘图

产品种类

Diodes - Zener

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-3789-2
933605980115
BZV49-C12 T/R

功率-最大值

1W

功率耗散

1 W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

1000

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

25 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

12V

电压容差

5 %

电压温度系数

8.4 mV/K

配置

Single Dual Anode

阻抗(最大值)(Zzt)

25 欧姆

零件号别名

BZV49-C12 T/R

齐纳电压

12.05 V

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