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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BZT52H-C30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C30,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52H-C30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-C30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号为 BZT52H-C30,115 的器件属于 齐纳二极管（Zener Diode），其分类为 二极管 - 齐纳 - 单。该器件的齐纳电压为 30V，适用于多种电压调节和保护电路中。 应用场景包括： 1. 电压参考源 BZT52H-C30,115 可作为基准电压源，为模拟电路、ADC/DAC 或电源管理系统提供稳定的参考电压。 2. 过压保护电路 在电源或信号线路中，该齐纳二极管可用于钳位电压，防止因电压突升而损坏后续电路，例如在通信接口（如USB、RS232）中进行瞬态电压抑制。 3. 稳压电路 在低功耗应用中，如电池供电设备或小型电源模块中，该器件可用于构建简易稳压电路，保持负载端电压稳定。 4. 信号调理电路 用于限制信号幅度，确保输入到运算放大器或比较器的信号在安全范围内，防止器件损坏或误操作。 5. 嵌入式系统与工业控制 常用于工业控制系统、传感器模块、仪表设备中，以确保电路在复杂电磁环境中稳定运行。 该器件采用小外形封装（如SOD-123），适合高密度PCB布局，具备良好的稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 30V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C30,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C30,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 21V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3765-2 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 26.9 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C30 T/R |
| 齐纳电压 | 32 V |
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