Datasheet下载- 型号： BZT52H-C22,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C22,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C22,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C22,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52H-C22,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-C22,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52H-C22,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高可靠性表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为22 V（容差±5%），功率额定值为500 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）提供稳定22 V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如微控制器IO口、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害； 3. 电源钳位：在DC-DC转换器反馈环路或LDO输入端实现输出电压钳位，防止异常升压导致器件损坏； 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200兼容设计（BZT52H系列满足汽车级可靠性要求），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中24 V车载电源系统的电压监测与保护； 5. 消费类与IoT设备：在电池供电设备（如智能电表、无线模块）中用于电池电压检测阈值设定或充电管理中的过压告警。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C）及优异的长期稳定性，适合对精度和可靠性要求较高的中低功率应用。注意实际使用时需确保功耗不超过额定值，并合理布局散热路径。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 22V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C22,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C22,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 15.4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3760-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 22V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 18.2 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C22 T/R |
| 齐纳电压 | 23.3 V |
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