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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C6V8-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C6V8-7-F价格参考¥0.12-¥0.15。Diodes Inc.BZT52C6V8-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C6V8-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C6V8-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BZT52C6V8-7-F是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:BZT52C6V8-7-F能够提供稳定的参考电压(6.8V),适用于低功率电路中的电压稳压功能。例如,在电源电路中,它可用于稳定输出电压,确保负载设备在恒定电压下工作。 2. 过压保护:该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压影响。当电路中的电压超过设定值(6.8V)时,齐纳二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续电路。 3. 信号电平转换:在信号处理电路中,BZT52C6V8-7-F可用于限制输入或输出信号的幅度,确保信号电平符合设计要求。例如,在音频或传感器信号处理中,它可以防止信号过载。 4. 基准电压源:由于其稳定的齐纳电压特性,这款二极管可用作简单且低成本的基准电压源,为运算放大器、比较器或其他模拟电路提供参考电压。 5. 钳位电路:在高速数字或模拟电路中,BZT52C6V8-7-F可以用作钳位二极管,将信号电压限制在特定范围内,避免超出器件的工作范围。 6. 电池保护电路:在小型电池供电设备中,该齐纳二极管可用于监控和限制充电电压,防止电池过充。 总之,BZT52C6V8-7-F适用于需要稳定电压、过压保护或信号限制的小型电子电路,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123稳压二极管 6.8V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C6V8-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C6V8-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 4V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | BZT52C6V8-FDITR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 2.85 mV/C |
| 系列 | BZT52C6V8 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.8 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |