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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C33-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C33-7-F价格参考¥0.19-¥0.26。Diodes Inc.BZT52C33-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C33-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C33-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C33-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压: BZT52C33-7-F 的齐纳电压为 3.3V(典型值),适用于低电压稳压电路。它可以在电源输出波动时提供稳定的参考电压,确保后端电路的正常工作。 2. 过压保护: 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可用于防止瞬态过压对电路造成损害。例如,在信号输入端加入 BZT52C33-7-F,可以将过高的电压钳位到安全范围。 3. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,这款二极管可以用作简单且低成本的基准电压源,适用于需要精确电压参考的应用场景,如比较器电路或 ADC/DAC 校准。 4. 信号电平调整: 在模拟信号处理中,BZT52C33-7-F 可用于将输入信号限制在特定范围内,避免信号幅度过大导致失真或损坏后续电路。 5. 电源监控与复位电路: 结合其他元件(如电阻和电容),BZT52C33-7-F 可构建简单的电源监控电路,当系统电压低于设定阈值时触发复位功能。 6. ESD 防护: 虽然其主要功能不是专门针对 ESD,但 BZT52C33-7-F 的钳位能力使其能够在一定程度上减少静电放电对电路的影响。 总之,BZT52C33-7-F 适合用于小型、低成本的电子设备中,尤其是在需要低功耗和稳定性能的应用场合。其封装形式(SOD-323)也使其非常适合表面贴装技术(SMT)生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123稳压二极管 33V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C33-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C33-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 23.1V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | BZT52C33-7-FDITR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 30.4 mV/C |
| 系列 | BZT52C33 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 33 V |
| 齐纳电流 | 2 mA |