Datasheet下载- 型号： BZT52C18-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C18-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C18-7-F价格参考￥0.20-￥0.29。Diodes Inc.BZT52C18-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52C18-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52C18-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C18-7-F是Diodes Incorporated生产的一款表面贴装齐纳二极管，标称齐纳电压为18V（典型值），功率为200mW，采用SOD-323封装。该器件主要用于低功耗电路中的电压箝位、电压参考和过压保护。 常见应用场景包括： 1. 电源管理电路：在低压直流电源系统中作为稳压元件，为IC提供稳定的参考电压。 2. 信号线路保护：用于通信接口（如USB、I/O端口）防止静电放电（ESD）或瞬态电压冲击，提升系统可靠性。 3. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等小型化电子设备中，实现空间节省与高效保护。 4. 工业控制与传感器电路：为传感器或模拟前端提供精确的电压基准，确保信号采集准确性。 5. 便携式设备：因其小尺寸和低功耗特性，适合电池供电设备中用于电压监测与保护。 BZT52C18-7-F具有响应速度快、稳定性高、体积小巧等优点，特别适用于对空间和功耗敏感的高密度电路设计。其±5%的电压容差也保证了良好的一致性，适合要求较高的精密应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 500MW SOD123稳压二极管 18V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C18-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C18-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 12.6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | BZT52C18-FDICT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 14.2 mV/C |
| 系列 | BZT52C18 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 45 欧姆 |
| 齐纳电压 | 18 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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