Datasheet下载- 型号： BZB84-C3V3,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-C3V3,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-C3V3,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-C3V3,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZB84-C3V3,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-C3V3,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-C3V3,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列（SOT-23 封装，含两个独立的 3.3 V 齐纳管），典型击穿电压为 3.3 V（容差 ±5%，即 3.14–3.47 V），最大稳定电流 5 mA，功耗 300 mW。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC 参考源）提供低成本、小尺寸的局部基准电压； 2. ESD 与过压保护：配合 TVS 或串联限流电阻，用于 I²C、UART 等低速数字接口的端口钳位，将瞬态电压限制在安全范围（≤3.3 V），防止后级 MCU/IO 损坏； 3. 逻辑电平转换/箝位：在不同供电域（如 5 V ↔ 3.3 V）间实现信号电平限制，避免高电平超标； 4. 电源监控与复位电路：与比较器或专用复位芯片配合，监测 3.3 V 电源是否跌落出容差范围； 5. 便携式设备保护：广泛应用于智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备等空间受限场景，利用其双通道结构节省 PCB 面积。 该器件具有低漏电流（IR ≤ 1 µA @ 1 V）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.05%/°C）及 AEC-Q200 兼容版本（部分衍生型号），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的辅助传感电路）。需注意：不适用于大电流稳压，仅限小信号/低功耗场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.3V TO236AB |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZB84-C3V3,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061723215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
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