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产品简介:
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BZB84-C2V4,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装,含两个独立 2.4 V 齐纳管),典型击穿电压为 2.4 V(容差 ±5%),最大功率 300 mW,低动态阻抗,具备良好温度稳定性与快速响应特性。 其主要应用场景包括: 1. 低电压精密稳压/基准源:为微控制器(MCU)、传感器、ADC/DAC 等提供稳定的 2.4 V 基准电压或偏置点; 2. ESD 与过压保护:并联于敏感信号线(如 I²C、GPIO、模拟输入端口),利用齐纳钳位特性吸收瞬态浪涌(IEC 61000-4-2 Level 2~3); 3. 电平转换与箝位电路:在 3.3 V 或 5 V 系统中将信号限幅至约 2.4 V,防止后级器件过压损坏; 4. 双通道独立保护:因采用双管共阴/共阳结构(BZB84 系列为双阴极配置,即双齐纳阴极相连),适合需对称钳位或冗余保护的场合,如差分信号调理、电源监控回路; 5. 便携式与空间受限设备:SOT-23 小尺寸封装适用于可穿戴设备、物联网节点、电池供电传感器等对面积和功耗敏感的应用。 注意:该器件非汽车级(AEC-Q200 未认证),适用于工业及消费类通用场景;使用时需确保功耗不超过额定值,并配合限流电阻设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 2.4V TO236AB |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BZB84-C2V4,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061680215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.4V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |