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  • 型号: BZB84-B3V6,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B3V6,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B3V6,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B3V6,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-B3V6,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B3V6,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZB84-B3V6,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装),含两个独立、反向串联的 3.6 V 齐纳二极管(标称稳压值为 3.6 V,容差通常 ±5%),典型测试电流 IZT = 5 mA,最大功率约 300 mW。

其主要应用场景包括:  
1. 低电压双向过压保护:利用反向串联结构,可对信号线(如 I²C、USB 数据线、传感器接口)提供 ±3.6 V 的钳位保护,防止静电放电(ESD)或瞬态电压(如 EFT)损坏后级 IC;  
2. 参考电压源:在低功耗便携设备(如可穿戴设备、IoT 传感器节点)中,为ADC、比较器或微控制器提供稳定、低成本的基准电压(需配合限流电阻使用);  
3. 电压箝位与电平转换辅助:在逻辑电平适配或模拟信号调理电路中,限制输入/输出摆幅,避免超出器件绝对最大额定值;  
4. 电源轨监控与稳压:用于 3.3 V 系统中实现简易稳压或欠压指示(配合分压与比较器)。

该器件具有小尺寸(SOT-23)、低泄漏电流(IR < 100 nA @ VR=1 V)、良好温度稳定性及 AEC-Q200 兼容版本(部分料号),适用于消费电子、工业控制及汽车电子(如车身控制模块中的非安全关键信号防护)。注意:不适用于大电流稳压,仅适合毫安级负载或高阻抗参考场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER DUAL 3.6V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode3.6V 250mW 3Pin

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B3V6,215-

数据手册

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产品型号

BZB84-B3V6,215

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 1V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

934061705215

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

5 uA

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

电压容差

2 %

电压温度系数

0 mV/K

配置

Dual Common Anode

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

齐纳电压

3.6 V

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