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产品简介:
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BZB84-B3V6,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装),含两个独立、反向串联的 3.6 V 齐纳二极管(标称稳压值为 3.6 V,容差通常 ±5%),典型测试电流 IZT = 5 mA,最大功率约 300 mW。 其主要应用场景包括: 1. 低电压双向过压保护:利用反向串联结构,可对信号线(如 I²C、USB 数据线、传感器接口)提供 ±3.6 V 的钳位保护,防止静电放电(ESD)或瞬态电压(如 EFT)损坏后级 IC; 2. 参考电压源:在低功耗便携设备(如可穿戴设备、IoT 传感器节点)中,为ADC、比较器或微控制器提供稳定、低成本的基准电压(需配合限流电阻使用); 3. 电压箝位与电平转换辅助:在逻辑电平适配或模拟信号调理电路中,限制输入/输出摆幅,避免超出器件绝对最大额定值; 4. 电源轨监控与稳压:用于 3.3 V 系统中实现简易稳压或欠压指示(配合分压与比较器)。 该器件具有小尺寸(SOT-23)、低泄漏电流(IR < 100 nA @ VR=1 V)、良好温度稳定性及 AEC-Q200 兼容版本(部分料号),适用于消费电子、工业控制及汽车电子(如车身控制模块中的非安全关键信号防护)。注意:不适用于大电流稳压,仅适合毫安级负载或高阻抗参考场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.6V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode3.6V 250mW 3Pin |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B3V6,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B3V6,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061705215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 0 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.6 V |