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  • 型号: BZB84-B10,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B10,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B10,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B10,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-B10,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B10,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZB84-B10,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装,含两个独立的 10 V 齐纳管),典型击穿电压为 10 V(容差 ±5%),最大功率 300 mW,低动态阻抗,具有优良的电压钳位与稳压特性。

主要应用场景包括:  
1. 电源轨过压保护:在低压数字电路(如 3.3 V/5 V 系统)中,为 MCU、FPGA 或通信接口(I²C、SPI)提供双向静电放电(ESD)钳位和瞬态电压抑制(TVS 功能),防止浪涌或热插拔引起的尖峰损坏。  
2. 精密参考电压源:在低成本模拟电路中,用作 10 V 基准(需配合限流电阻及滤波),适用于传感器信号调理、ADC/DAC 参考或比较器阈值设定。  
3. 双路电压箝位/限幅:利用其双通道结构,可同步保护差分信号线(如 RS-485 总线)、运算放大器输入端或 ADC 输入前端,实现对称正负向钳位(配合反向二极管或使用双极性配置)。  
4. 便携式设备电源管理:在电池供电设备中,用于稳压 LDO 的反馈网络或监控电池电压(如配合分压器检测 10 V 对应的电池状态)。

该器件因小尺寸、高可靠性及 AEC-Q200 兼容性(部分批次),亦见于汽车电子中的车身控制模块(BCM)辅助电路。注意:实际应用中需严格按数据手册设计限流电阻,避免齐纳管过功耗,并考虑温度漂移影响(TC ≈ +2 mV/°C)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER DUAL 10V TO236AB

产品分类

二极管/齐纳阵列

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BZB84-B10,215

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 7V

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

934061717215

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±2%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

配置

1 对共阳极

阻抗(最大值)(Zzt)

20 欧姆

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