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产品简介:
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BZB84-B10,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装,含两个独立的 10 V 齐纳管),典型击穿电压为 10 V(容差 ±5%),最大功率 300 mW,低动态阻抗,具有优良的电压钳位与稳压特性。 主要应用场景包括: 1. 电源轨过压保护:在低压数字电路(如 3.3 V/5 V 系统)中,为 MCU、FPGA 或通信接口(I²C、SPI)提供双向静电放电(ESD)钳位和瞬态电压抑制(TVS 功能),防止浪涌或热插拔引起的尖峰损坏。 2. 精密参考电压源:在低成本模拟电路中,用作 10 V 基准(需配合限流电阻及滤波),适用于传感器信号调理、ADC/DAC 参考或比较器阈值设定。 3. 双路电压箝位/限幅:利用其双通道结构,可同步保护差分信号线(如 RS-485 总线)、运算放大器输入端或 ADC 输入前端,实现对称正负向钳位(配合反向二极管或使用双极性配置)。 4. 便携式设备电源管理:在电池供电设备中,用于稳压 LDO 的反馈网络或监控电池电压(如配合分压器检测 10 V 对应的电池状态)。 该器件因小尺寸、高可靠性及 AEC-Q200 兼容性(部分批次),亦见于汽车电子中的车身控制模块(BCM)辅助电路。注意:实际应用中需严格按数据手册设计限流电阻,避免齐纳管过功耗,并考虑温度漂移影响(TC ≈ +2 mV/°C)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 10V TO236AB |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BZB84-B10,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061717215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |