Datasheet下载- 型号： BZB784-C12,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB784-C12,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB784-C12,115价格参考。NXP SemiconductorsBZB784-C12,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZB784-C12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB784-C12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB784-C12,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的齐纳二极管阵列（双路共阴极），标称稳压值为12 V（容差±5%），最大功率300 mW，采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与精密稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）与ESD防护：配合TVS或限流电阻，用于USB、I²C、GPIO等低压数字接口的瞬态抑制和钳位保护； 3. 电源轨监控与箝位：在3.3 V/5 V系统中对12 V辅助电源或反馈节点进行限幅，防止后级IC过压损坏； 4. 双路独立稳压需求：共阴极结构支持两个通道共享地线，适用于需同步稳压的双路传感器供电或冗余参考设计； 5. 空间受限便携设备：如可穿戴设备、物联网节点、智能电表等，得益于其微型封装与低功耗特性。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块外围电路）。注意：不适用于大电流稳压，需外接限流电阻以确保工作在额定功率内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 12V SOT323稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB784-C12,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB784-C12,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934056313115 |
| 功率-最大值 | 180mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 7.9 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 零件号别名 | BZB784-C12 T/R |
| 齐纳电压 | 12.05 V |
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